不凡考网

阵发性室上性心动过速治疗时抗心律失常药物首选的是

  • 下载次数:
  • 支持语言:
  • 1291
  • 中文简体
  • 文件类型:
  • 支持平台:
  • pdf文档
  • PC/手机
  • 【名词&注释】

    阵发性室上性心动过速(paroxysmal supraventricular tachycardia)、神经衰弱(neurasthenia)、结核性脑膜炎(tuberculous meningitis)、静脉注射(intravenous injection)、苯妥英钠(phenytoin sodium)、抗心律失常药物(antiarrhythmic drug)、脑干网状结构(reticular formation of brain stem)、中毒性精神障碍(toxic psychosis)、结核性脊髓炎、中枢神经系统结核病(central nervous systemic tuberculosis)

  • [单选题]阵发性室上性心动过速治疗时抗心律失常药物首选的是

  • A. β受体阻滞剂
    B. 奎尼丁
    C. 静脉注射腺苷
    D. 西地兰
    E. 苯妥英钠

  • 查看答案&解析 点击获取本科目所有试题
  • 举一反三:
  • [单选题]中枢神经系统结核病(central nervous systemic tuberculosis)最常见的是(  )。
  • A. 结核性脑炎
    B. 结核性脑膜炎
    C. 结核性脑膜脑炎
    D. 结核性脑脊髓炎
    E. 结核性脊髓炎

  • [单选题]病理性激情在下列哪些精神障碍中最常见
  • A. 精神分裂症
    B. 癫痫所致精神障碍
    C. 颅内感染所致精神障碍
    D. 躯体疾病所致精神障碍
    E. 神经衰弱

  • [单选题]丘脑非特异性核团主要接受( )。
  • A. 脑干网状结构(reticular formation of brain stem)传入的冲动
    B. 各种浅感觉冲动
    C. 各种深感觉冲动
    D. 平衡觉的冲动
    E. 各种躯体感觉的冲动

  • [单选题]国际10~20系统的电极位置,正确的是( )。
  • A. O2与枕外粗隆的间距为20%
    B. 双耳前凹连线距左耳前凹10%处为T4电极位置
    C. 从鼻根向后20%处为FPz位置
    D. 从FP2位置向左10%为Fp1,Fp1向后每个电极间距为20%
    E. 01与02间距为10%

  • 本文链接:https://www.zhukaozhuanjia.com/download/yv6kn.html
  • 推荐阅读
    考试宝典
    @2019-2026 不凡考网 www.zhukaozhuanjia.com 蜀ICP备20012290号-2