【名词&注释】
半导体(semiconductor)、吸收剂量(absorbed dose)、薄膜晶体管(TFT)(thin film transistor (tft))、电荷耦合器件(CCD)(charge coupled device (ccd))、表面保护层(surface protecting layer)
[单选题]lP的结构不包括
A. 表面保护层(surface protecting layer)
B. 光激励发光物质层
C. 基板层
D. 吸收层
E. 背面保护层
查看答案&解析
举一反三：
[单选题]必须应用对比剂进行的检查是
A. CT
B. CR
C. DR
D. MRI
E. DSA
[单选题]关于像素的叙述，正确的是
A. 像素是构成图像最小的单位
B. 像素是体积元的略语
C. 像素是三维的概念
D. 像素又称为体素
E. 采样野相同，矩阵越大，像素越少
[单选题]管电压在多少kVp以上时，钨靶才能产生特征X线（ ）
A. 70
B. 80
C. 90
D. 100
E. 150
[多选题]X线管两个相对的电极是指
A. 能极
B. 丝极
C. 正极
D. 阴极
E. 负极
[单选题]可以作为吸收剂量的单位的是
A. Sv和rad
B. R和rad
C. Gy和rad
D. Gy和Ci
E. Sv和Ci
[单选题]下列关于数字探测器像素设计的说法，正确的是
A. 薄膜晶体管(TFT)只用于间接数字成像系统
B. 间接转换探测器X线元件和光敏元件应放置在探测器顶层
C. 直接转换数字探测器使用电荷耦合器件(CCD)代替TFT阵列
D. 间接转换探测器的半导体阵列比直接转换探测器更容易制造
E. TFT阵列利用光纤从闪烁体或增感屏上发出的光中采集图像
本文链接：https://www.zhukaozhuanjia.com/download/xlneev.html
