【名词&注释】
半导体(semiconductor)、主要因素(main factors)、薄膜晶体管(thin film transistor)、电荷耦合器件(ccd)、表面保护层(surface protecting layer)、影像清晰度(image sharpness)、放大率
[单选题]下列哪项是影响体素的主要因素：（ ）
A. 深度、矩阵尺寸、扫描野
B. 深度、扫描野
C. 厚度、矩阵尺寸
D. 矩阵尺寸、扫描野
E. 深度、厚度
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举一反三：
[单选题]下列关于数字探测器像素设计的说法，正确的是
A. 薄膜晶体管(TFT)只用于间接数字成像系统
B. 间接转换探测器X线元件和光敏元件应放置在探测器顶层
C. 直接转换数字探测器使用电荷耦合器件(CCD)代替TFT阵列
D. 间接转换探测器的半导体阵列比直接转换探测器更容易制造
E. TFT阵列利用光纤从闪烁体或增感屏上发出的光中采集图像
[单选题]乳腺X线摄影中为了获得边缘强化、提高影像清晰度(image sharpness)，利用相位对比x线摄影，其最佳的焦点和放大率为
A. 0.1的焦点、1.5倍的放大率
B. 0.1的焦点、1.75倍的放大率
C. 0.1的焦点、2倍的放大率
D. 0.3的焦点、1.75倍的放大率
E. 0.3的焦点、2倍的放大率
[单选题]lP的结构不包括
A. 表面保护层
B. 光激励发光物质层
C. 基板层
D. 吸收层
E. 背面保护层
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