不凡考网

下面关于MRI检查技术的适应证,不合理的是

  • 下载次数:
  • 支持语言:
  • 1942
  • 中文简体
  • 文件类型:
  • 支持平台:
  • pdf文档
  • PC/手机
  • 【名词&注释】

    甲状腺(thyroid)、半导体(semiconductor)、保护层(protective layer)、不合理(unreasonable)、婴儿期(infancy)、原子序数(atomic number)、绝缘层(insulating layer)、深吸气(deep inspiration)

  • [单选题]下面关于MRI检查技术的适应证,不合理的是

  • A. 感染
    B. 肿瘤
    C. 肺间质疾病
    D. 寄生虫病
    E. 中毒

  • 查看答案&解析 点击获取本科目所有试题
  • 举一反三:
  • [单选题]当测得CT值为0时,低于此数值的人体组织器官是
  • A. 肝脏
    B. 脑白质
    C. 肺
    D. 甲状腺
    E. 肌肉

  • [单选题]颅内血肿的CT值
  • A. -100~-30HU
    B. 0~10HU
    C. 100~200HU
    D. 40~80HU
    E. 1000HU

  • [多选题]可引起眶窝小的疾病有 ( )
  • A. 无眼球、小眼球
    B. 筛窦粘膜囊肿
    C. 婴儿期眼球摘除术后
    D. 骨瘤
    E. 眼球肿瘤

  • [多选题]关于X线强度的叙述,正确的是 ( )
  • A. KVP代表X线的质
    B. X线强度指的是管电压的高低
    C. 靶物质的原子序数(atomic number)越高,X线强度越大
    D. X线强度与管电压成正比
    E. 脉冲电压越接近峰值,X线强度越大

  • [单选题]同轴高压电缆由内向外排列正确的是 ( )
  • A. 芯线→绝缘层(insulating layer)→屏蔽层→半导体层→保护层
    B. 芯线→绝缘层(insulating layer)→半导体层→屏蔽层→保护层
    C. 芯线→半导体层→绝缘层(insulating layer)→屏蔽层→保护层
    D. 芯线→屏蔽层→绝缘层(insulating layer)→半导体层→保护层
    E. 芯线→绝缘层(insulating layer)→半导体层→保护层→屏蔽层

  • [单选题]深吸气(deep inspiration)后屏气状态又称为 ( )
  • A. 动态呼吸法
    B. Muller呼吸法
    C. Valsalva呼吸法
    D. 平静呼吸法
    E. 以上都对

  • 本文链接:https://www.zhukaozhuanjia.com/download/9g8v4w.html
  • 推荐阅读
    @2019-2026 不凡考网 www.zhukaozhuanjia.com 蜀ICP备20012290号-2