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可摘局部义齿基托伸展的范围,下列错误的是

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    磷酸盐(phosphate)、硫酸盐(sulfate)、混合物(mixture)、可摘局部义齿(removable partial denture)、碳酸盐(carbonate)、正硅酸乙酯(teos)、边缘嵴(marginal ridge)、分离剂(separating agent)、人工牙(artificial tooth)、下颌切迹(mandibular notch)

  • [单选题]可摘局部义齿基托伸展的范围,下列错误的是

  • A. 应与天然牙轴面的倒凹区轻轻接触
    B. 上颌远中游离者应伸至翼下颌切迹(mandibular notch),远中颊角应覆盖上颌结节
    C. 下颌远中游离者应覆盖磨牙后垫1/3~1/2
    D. 缺牙区若骨质缺损应当扩大,若有骨突应适当缩小或作缓冲
    E. 缺牙多应适当大些,反之应小些

  • 查看答案&解析
  • 举一反三:
  • [单选题]义齿修理后仍然容易折断的情况是
  • A. 义齿基托因跌落坚硬的地上折断
    B. 基托厚度不足致折断
    C. 聚合前人工牙(artificial tooth)盖嵴部涂了分离剂(separating agent)致人工牙(artificial tooth)脱落
    D. 基托不密合致折断
    E. 人工牙(artificial tooth)咬合早接触致折断

  • [单选题]牙冠的斜面是指
  • A. 组成嵴的各个面
    B. 组成牙尖的各个面
    C. 构成轴嵴的各个面
    D. 构成边缘嵴(marginal ridge)的各个面
    E. 牙冠上斜形的面

  • [单选题]磷酸盐包埋材料的结合剂是(  )。
  • A. 硬质石膏
    B. 正硅酸乙酯
    C. 磷酸盐与金属氧化物的混合物
    D. 硫酸盐与金属氧化物的混合物
    E. 碳酸盐与金属氧化物的混合物

  • [单选题]隐形义齿卡环的厚度为(  )。
  • A. 0.5~0.8mm
    B. 0.8~1.0mm
    C. 1.0~1.5mm
    D. 1.5~2.0mm
    E. 2.0~2.5mm

  • [单选题]PFM冠上釉时的炉温是
  • A. 与体瓷的烧结温度相同
    B. 低于体瓷烧结温度6~8℃
    C. 低于体瓷烧结温度10~20℃
    D. 高于体瓷烧结温度6~8℃
    E. 高于体瓷烧结温度10~20℃

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