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中熔烤瓷材料的熔点范围在

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  • 【名词&注释】

    碳化硅(silicon carbide)、就位道(path of removal)、有利于(beneficial to)、琼脂印模材料(agar impression material)、贵金属基、牙周膜厚度(thickness of periodontal ligament)

  • [单选题]中熔烤瓷材料的熔点范围在

  • A. 600~850℃
    B. 850~1050℃
    C. 1050~1200℃
    D. 1200~1450℃
    E. 1450~1600℃

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  • 举一反三:
  • [单选题]琼脂印模材料转变成凝胶的温度为
  • A. 36~40℃之间
    B. 60~70℃
    C. 70~80℃
    D. 80~90℃
    E. 100℃

  • [单选题]磨除贵金属基底的金属与瓷结合面氧化物,常用
  • A. 碳化硅
    B. 钨钢钻
    C. 橡皮轮
    D. 金钢砂针
    E. 金钢石钻针

  • [单选题]模型底座厚薄适宜,一般腭顶和口底,的最薄处应保持
  • A. 3~5mm
    B. 1~2mm
    C. 5~10mm
    D. 10~20mm
    E. 30mm

  • [单选题]冠内附着体基牙牙体预备时,窝洞空间大小与选择的附着体尺寸有关,一般窝洞的颊舌面与邻面洞壁与放置附着体轴壁之间应保留多大间隙,有利于附着体部件放置时调整就位道
  • A. 0.5mm
    B. 1.0mm
    C. 1.5mm
    D. 2.0mm
    E. 2.5mm

  • [单选题]正常牙周膜厚度(thickness of periodontal ligament)
  • A. 0.15~0.38mm
    B. 1mm
    C. 2mm
    D. 6mm
    E. 4mm

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