【名词&注释】
半导体(semiconductor)、探测器(detector)、薄膜晶体管(TFT)(thin film transistor (tft))、电荷耦合器件(CCD)(charge coupled device (ccd))
[单选题]一般将IP上产生______的照射量作为基础的目标照射量。
A. 1000mR
B. 1mR
C. 100mR
D. 10mR
E. 10000mR
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举一反三：
[单选题]下列关于数字探测器像素设计的说法，正确的是
A. 薄膜晶体管(TFT)只用于间接数字成像系统
B. 间接转换探测器X线元件和光敏元件应放置在探测器顶层
C. 直接转换数字探测器使用电荷耦合器件(CCD)(charge coupled device (ccd))代替TFT阵列
D. 间接转换探测器的半导体阵列比直接转换探测器更容易制造
E. TFT阵列利用光纤从闪烁体或增感屏上发出的光中采集图像
[单选题]必须应用对比剂进行的检查是
A. CT
B. CR
C. DR
D. MRI
E. DSA
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